Abstract FR:

Le sujet de ce travail est l'etude de l'interaction du semi-conducteur gaas avec des electrons de tres basse energie injectes depuis le vide dans la bande de conduction. Nous avons determine l'efficacite de la creation de paires electron trou par ionisation par impact. Comme application, l'abaissement de l'affinite electronique permet la detection de luminescence polarisee circulairement pour des electrons de spin injectes au bas de la bande de conduction. Nous avons aussi pu etudier le rendement de l'emission electronique secondaire en fonction de l'affinite electronique. Nous avons determine une loi experimentale reliant la probabilite d'emission secondaire et l'affinite electronique. Nous avons determine une loi experimentale reliant la probabilite d'emission secondaire et l'affinite electronique