Abstract FR:

Ce travail prote sur les interfaces entre d'une part, le fer et d'autre part, le -fesi#2, semi-conducteur potentiellement prometteur et le silicium (111). Le depot de fer sur du silicium est une etape dans l'elaboration de couches minces de -fesi#2 par la methode d'epitaxie en phase solide. Les techniques d'analyse utilisees ici sont les ondes stationnaires de rayons x (interface fe/si(111)) et la microscopie electronique en transmission (interface -fesi#2/si(111)). L'interface fe/si(111) a ete caracterisee jusqu'a un depot de trois monocouches: les atomes de fer de la premiere couche se deposent sur les sites t#4, les trois premieres couches croissent en ilots avec une orientation privilegiee par rapport au substrat et se remplissent completement avant toute croissance ulterieure. La structure de l'interface -fesi#2 presente theoriquement deux relations d'epitaxie: -fesi#2(110)/si(111) ou -fesi#2(101)/si(111) avec, en outre, pour chaque possibilite, deux types d'orientations de croissance. La microscopie electronique a permis de montrer l'existence d'une structure maclee des films de -fesi#2 qui alterne les plans (110) et (101) au sein d'un meme grain monocristallin. Par ailleurs, seul un des deux types d'orientation de croissance du -fesi#2 apparait. La symetrie ternaire de la surface du silicium donne, en outre, trois possibilites de croissance