Abstract FR:

Nous avons etudie les mecanismes de creation et de deplacement des dislocations generees par microindentation dans des monocristaux de phosphure d'indium non dopes, dopes zinc et dopes soufre orientes <001>. En surface les dislocations sont distribuees selon une rosette composee de quatre bras diriges suivant des directions <110>. Dans chacun des bras on a observe, par microscopie electronique en transmission, des empilements de dislocations parfaites et des empilements de dislocations partielles. On a mis en evidence sous la surface indentee deux zones plastiques: l'une en v peu profonde associee aux bras de rosette, l'autre en toit plus profonde s'evasant a mesure que l'on s'eloigne de la surface. Nous avons modelise dans un premier temps les mecanismes de generation des dislocations ainsi que l'ecoulement de matiere a l'enfoncement de l'indenteur, puis la distribution des dislocations a l'equilibre en surface et en profondeur. Pour cela nous avons pris en compte les forces d'interaction elastique entre dislocations, leur longueur, la largeur des boucles de dislocations et la force de friction du reseau. Cette derniere a ete determinee par des experiences de deformation en volume. L'etude de la recombinaison non radiative des porteurs de charge au niveau des dislocations a ete etudiee en microscopie electronique a balayage en mode cathodoluminescent