Abstract FR:

Cette these rapporte sur l'etude de l'interface metal-silicium modifiee par une couche d'hydrogene intercalaire. L'etude est motivee par le developpement recent d'une methode de preparation chimique de surfaces de silicium a terminaison d'hydrogene stable a l'air (ex-situ). Les methodes d'analyse utilisees pour cette etude sont la photoemission haute resolution de bande de valence et de niveaux de cur. L'utilisation du rayonnement synchrotron permet d'exploiter la forte sensibilite a la surface de cette methode et la haute resolution. Des etudes de spectroscopie auger et de diffraction d'electrons lents sont couplees a la photoemission. Le depot d'or, d'aluminium et de potassium sur la surface propre et la surface terminee d'hydrogene si(111) revele le role de la couche d'hydrogene sur le mode de croissance de l'adsorbat et les proprietes electroniques de l'interface telles que la barriere de schottky. De nouvelles informations sur le mecanisme de formation de la barriere de schottky sont obtenues par la comparaison de l'interface simple et modifiee par adsorption d'hydrogene. Une etude de photoemission de niveaux de cur a haute resolution et basses temperatures pour trois surfaces si(111) est inclue.