Abstract FR:

Nous etudions ici des composants optoelectroniques a base d'heterostructures semiconductrices piezoelectriques, tels que des modulateurs de lumiere tout-optiques (pour le traitement d'image ultrarapide) et des lasers accordables en longueur d'onde (pour les telecommunications ou la spectroscopie). Dans les modulateurs, un premier faisceau (pompe) permet d'injecter des porteurs dans la structure. Les electrons et les trous sont separes par des barrieres ou regne un champ d'origine piezoelectrique. Le champ de charge d'espace resultant permet de changer la longueur d'onde de transition d'un puits quantique (actif) place entre les barrieres. Un deuxieme faisceau (sonde), dont l'energie est proche de la resonance du puits actif, peut alors etre module en intensite. Nous avons demontre la faisabilite d'un tel composant a temperature ambiante et avons realise un modulateur travaillant a basse temperature. Ces resultats ont motive une etude sur le signe du coefficient piezoelectrique e14 dans les composes a base de cdhgte. Nous avons demontre que le signe du coefficient dans ce materiau etait oppose a celui du cdte. Nous avons ensuite demontre la faisabilite d'un laser accordable en longueur d'onde, a emission par la tranche. Ici, le puits actif emet de la lumiere laser. Les porteurs peuvent etre injectes soit optiquement, soit electriquement (diode pin). Les resultats ont ete obtenus a t = 80 k, et la structure doit encore etre optimisee pour fonctionner a l'ambiante. Enfin, nous avons propose une structure pour changer la longueur d'onde des modes d'une cavite, et ce meme en regime d'emission laser. Il s'agit d'un super-reseau ou chaque couche possede un champ piezoelectrique de meme intensite, mais de signe oppose. Lorsqu'on injecte des porteurs, ceux ci ecrantent les champs et changent les proprietes du super-reseau, ce qui est exploite pour changer les modes de resonance d'une cavite.