Etude spectroscopique et caracterisation de la photorefractivite dans le semiconducteur cdte : ge
Institution:
Paris 7Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Les materiaux photorefractifs sont recherches pour des applications en optique non lineaire dans le domaine proche infrarouge (1,06 1,55 m). Parmi ceux-ci, cdte dope germanium presente un tres fort gain photorefractif et il etait important de caracteriser les defauts et les mecanismes mis en cause afin d'aider a l'optimisation des cristaux. En travaillant sur une dizaine d'echantillons, nous avons pu identifier deux defauts paramagnetiques dominants grace a des mesures de dichroisme circulaire magnetique (dcm). L'absorption optique montre quatre bandes et leur variation sous eclairement secondaire (photochromisme) demontre l'existence de deux autres defauts diamagnetiques, complementaires des premiers. Des mesures cinetiques ont ete effectuees dans des conditions qui nous ont permis de nous affranchir des effets non desires de la lumiere de sonde. Tous les resultats presentes sont interpretes dans le cadre d'un modele a 2 niveaux / 4 especes. Le premier niveau est associe a ge en site cd sous deux etats de charge ge 0 et ge + (notation semiconducteur). En detectant optiquement la resonance paramagnetique (odmr) nous avons pu demontrer que la bande situee a la plus basse energie est associee a la photoneutralisation de ge +. Le second defaut (x) est vraisemblablement un complexe du germanium. L'analyse detaillee de toutes nos mesures nous a conduit a des resultats inedits concernant les seuils et sections efficaces d'ionisation des electrons et des trous ou encore les concentrations des quatre especes dans diverses conditions. Nos resultats quantitatifs concernant la concentration de ge + sont tres bien correles a ceux de rpe, obtenus dans un autre laboratoire. En nous appuyant sur nos resultats spectroscopiques, nous proposons