Abstract FR:

Ce travail presente l'etude des dopants de type-p (be,c) pour l'epitaxie par jets moleculaires afin de fabriquer des transistors bipolaires a heterostructure gaas/ga#1#-#xal#xas tres performants. En ce qui concerne le dopant be, une etude des differents mecanismes de redistribution de l'impurete a ete entreprise. L'optimisation des parametres de croissance (temperature de croissance, rapport des flux v/iii, vitesse de croissance) a permis: 1) une augmentation de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans la base associee a une amelioration de la qualite de la couche et 2) une importante minimisation de la diffusion du dopant durant des recuits a haute temperature (800c) apres croissance. Dans la seconde partie de ce travail, nous avons mis au point une cellule permettant d'evaporer du c a partir d'une source solide de graphite chauffee par effet joule direct. Des niveaux de dopages de type p jusqu'a 8 10#1#9 cm#-#3 ont ete obtenus. Cette etude a confirme le tres faible coefficient de diffusion du c comparativement aux impuretes conventionnelles ce type p (zn, be). Les proprietes de transport des porteurs minoritaires dans les couches dopees c epitaxiees par jets moleculaires classiques sont malgre tout restees tres faibles et n'ont pas permis d'obtenir dans l'etat actuel des composants performants. Nous pensons que ceci est du a la presence d'impuretes etrangeres, en particulier le fe, le cr et le cu dans la source de graphite, qui viennent s'incorporer dans la couche durant la croissance. Ces impuretes sont des centres profonds dans gaas. Des traitements specifiques de la source de graphite ont ete mis au point de facon a reduire la concentration de ces impuretes