Abstract FR:

Le propos de cette these est la modelisation bidimensionnelle du film silicium polycristallin non dope et son application au transistor en couches minces. Les aspects concernant les proprietes physiques et electriques ainsi que les phenomenes de transport dans ce type de materiau ont ete traites. Ce memoire est divise en trois parties: dans la premiere, une etude du film silicium polycristallin est presentee avec les differents parametres physiques et electriques intervenant dans la caracterisation de ce materiau. Sont aussi presentes et discutes, les differents mecanismes de transport dans le silicium polycristallin et leurs applications dans quelques modeles de conduction tres connus. La deuxieme partie est consacree a une recherche unidimensionnelle de la caracteristique de conductivite, qui nous a permis d'approcher l'identification du silicium polycristallin non dope, en quantifiant le dopage residuel et la densite de liaisons pendantes. Une correction de ces deux grandeurs a ete realisee par le developpement d'un modele bidimensionnel, plus representatif des couches etudiees. Dans un deuxieme temps, nous presentons le modele de conduction applique au transistor. Enfin nous developpons la methode de resolution utilisee dans le modele numerique. Nous avons reserve la derniere partie de ce memoire aux differents resultats issus des mesures experimentales et de la simulation unidimensionnelle et bidimensionnelle. L'interpretation de ces resultats ainsi que l'accord mesures/simulation y sont presentes