thesis

Etude par diffraction de rayons x de la densite electronique dans les semi-conducteurs gaas, znsias : :(2), zngeas::(2) et znsnas::(2)

Defense date:

Jan. 1, 1987

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Institution:

Caen

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Abstract EN:

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Abstract FR:

Mesure des facteurs de structure. Determination des parametres d'agitation thermique dont les valeurs presentent une bonne coherence d'un compose a l'autre. Description de la densite de valence a l'aide d'un modele de charges de liaison gaussiennes. Les calculs theoriques de structure de bandes conduisent a une densite de valence theorique assez voisine de la densite experimentale