Abstract FR:

Des échantillons semi-conducteurs des groupes ii-vi, iii-v et iv-vi ont été irradiés a 20k, dans de l'hydrogène liquide, avec des électrons de grandes énergies comprises entre 0,7 et 2,7 mev. Les mesures in situ du coefficient de hall r#h et de la résistivité montrent que l'irradiation introduit un dopage de type p dans les matériaux du groupe iii-v et de type n dans ceux des groupes ii-vi et iv-vi. Une transition semi-conducteur-isolant accompagne l'entrée du potentiel chimique dans la bande interdite. Dans les matériaux du groupe iv-vi, il apparait un état métastable caractéristique de la forte compensation. Les échantillons de tellurure ou séléniure de plomb initialement de type p présentent les deux transitions successives semi-conducteur-isolant-semi-conducteur, ainsi qu'une inversion de type des porteurs majoritaires. L'analyse, suivant un modèle de cascade, de la vitesse de variation, en fluence, de la concentration de porteurs libres permet de situer les niveaux d'états localisés dans la bande interdite ou dans la bande de conduction : 1) dans les matériaux du groupe iv-vi, ces résultats sont confirmés par la saturation de la concentration électronique à fluence élevée, ainsi que par l'étude de la guérison des défauts introduits par l'irradiation : 2) dans les alliages hg#1##xcd#xte, l'analyse de l'accroissement en fluence de la concentration des électrons indique que seules les paires de Frenkel de mercure sont électriquement actives. La position énergétique du niveau d'états localises associe est évaluée, en fonction de la teneur en cadmium de l'alliage, à partir de la valeur limite de la concentration de porteurs