Abstract FR:

Il est possible d'obtenir gaas amorphe stoechiometrique sous argon pur en deposant le materiau par pulverisation r. F. A une temperature de support ts de 290c. Caracterisation par spectroscopie raman, courants limites par charge d'espace, spectroscopie de la deflexion photothermique, mesures optiques et electriques. Influence de l'hydrogenation du materiau depose a ts50c. Le dopage de a-gaas : h montre que le soufre engendre un mecanisme de compensation qui augmente la sensibilite du materiau a la lumiere. Le tellure a un effet de dopage limite. Enfin, la modification chimique du materiau par copulverisation de molybdene fait varier la conductivite electrique de 6 ordres de grandeur