Abstract FR:

Presentation d'une methode de calcul de la distribution des defauts nes par implantation ionique dans une cible cristalline et inventaire des modeles decrivant la transition cristal amorphe par implantation ionique. Il est montre comment ces travaux theoriques peuvent etre adaptes a la localisation de couches amorphes continues grace a ce calcul de la distribution de defauts. Etude par microscopie electronique en transmission de l'amorphisation a temperature ambiante de si et etude par microscopie electronique par reflexion de la degradation de surfaces atomiquement planes de si par implantation de gaz rares