Abstract FR:

L'objet de cette these est la mesure, l'analyse et la modelisation de la fonction dielectrique de composes semi-conducteurs ii-vi par ellipsometrie spectroscopique. Ces materiaux, utilises pour l'elaboration de dispositifs optoelectroniques (notamment en detection infrarouge), n'ont pas tous ete etudies. Leur caracterisation optique apporte une contribution significative, tant du point de vue technologique que du point de vue fondamental. Le travail presente comprend alors des mesures de la fonction dielectrique des solutions solides hg#1#-#xzn#xte et cd#1#-#xzn#xte. Leur exploitation permet d'exprimer les parametres de leurs differentes transitions en fonction de la composition x. Les resultats obtenus sont discutes en relation avec la structure de bandes et les proprietes optiques de ces materiaux. La description de ces resultats par differents modeles permet la mise en evidence de l'influence de la densite et de la nature des defauts des materiaux sur leur polarisabilite. Une etude est devolue specifiquement a la mesure de la fonction dielectrique de couches d'oxyde anodique elaborees sur un substrat de hg#0#. #8#5zn#0#. #1#5te. Ce materiau est un candidat potentiel pour la realisation de detecteurs dans la fenetre des 10 m. Les couches d'oxyde deposees permettent alors d'ameliorer ses qualites en passivant sa surface, laissant apparaitre une interface a faible densite d'etats electroniques. Cette analyse ellipsometrique a permis d'identifier les differents composes des couches d'oxyde anodique, ainsi que l'evolution de leur composition en fonction de la tension d'anodisation