Abstract FR:

Nous avons etudie la croissance en depot par jets moleculaires du compose lamellaire inse et du compose voisin in#2se#3. Les films inse sont obtenus sur un large intervalle de temperature du substrat allant de 225 a 350c avec un rapport r de pression equivalent de selenium et d'indium compris entre 2 et 3. L'augmentation de la temperature du substrat amorphe permet d'ameliorer la cristallinite de la couche. Des films de composition mixte sont obtenus avec des rapports r inferieurs a 2 (inse+in#4se#3) et pour des valeurs comprises entre 3 et 4 (inse+-in#2se#3). Les films in#2se#3 sont obtenus, dans cette meme gamme de temperature avec un rapport r superieur a 4. Le caractere bidimensionnel de la structure de inse se manifeste par une croissance bidimensionnelle du compose caracterise par des diagrammes du plan du substrat jusqu'a une temperature de 350c. Une etude de l'influence du substrat sur l'orientation des couches montrent que l'axe c de leur reseau hexagonal est perpendiculaire au plan du substrat qu'il s'agisse d'un substrat amorphe ou cristallin. Les films de inse s'epitaxient sur substrats (inse et gase). Sur inp (111), le demarrage de la croissance epitaxiale est perturbee par la reactivite du selenium avec l'indium du substrat qui conduit a la formation du compose in#2se#3. Dans le cas du gaas (001), nous avons etabli deux relations epitaxiales entre le substrat et le film (i) l'axe (0110) de inse s'aligne parallelement a la direction (100) du gaas(ii) l'axe (2130) du inse s'aligne parallelement a la direction (110) du gaas