Abstract FR:

Nous presentons une etude experimentale du processus de photoemission a faible energie d'excitation dans un super-reseau semi-conducteur active en affinite electronique negative. Les energies des differentes transitions optiques depuis les minibandes de valence vers les mini-bandes de conduction sont determinees experimentalement a partir des courbes de rendement de photoemission. Elles s'accordent avec les valeurs que nous calculons dans un modele de fonctions enveloppes. A partir de l'analyse des courbes de distribution en energie nous obtenons deux types d'informations. D'une part nous observons des contributions caracteristiques du processus de photoexcitation, qui nous permettent de determiner la dispersion des premieres minibandes de valence du super-reseau dans le plan perpendiculaire a l'axe de quantification. Au-dela du voisinage immediat du centre de la premiere zone de brillouin, la dispersion de ces minibandes devient similaire a celle des premieres bandes de valence dans le gaas massif. D'autre part, nous observons des structures correspondant a l'emission d'electrons depuis les premiers niveaux quantiques du super-reseau dans la vallee centrale et dans les vallees laterales de la bande de conduction. Il apparait dans ces resultats experimentaux que la dynamique du processus de photoemission favorise l'accumulation dans les niveaux des vallees laterales plutot que dans les minibandes superieures de la vallee centrale. Par ailleurs, du a la levee de la degenerescence des bandes de trous lourds et de trous legers aux maximum de la bande de valence, une population d'electrons completement polarises peut etre theoriquement photocreee par pompage optique. Les polarisations de luminescence de 70% que nous avons obtenues montrent que ce type de structure peut alors etre utilise comme source d'electrons de forte polarisation