Abstract FR:

Ce memoire est consacre a la realisation de structures a puits quantique contraint inas xp 1 x/inp par epitaxie en phase vapeur par la methode aux hydrures. Il decrit dans un premier temps l'analyse thermodynamique de la phase vapeur de maniere a determiner sa composition. L'etude experimentale debute par la realisation de couches epaisses relaxees puis se poursuit par la realisation de structures a puits quantique. L'analyse, par spectroscopie de photoluminescence a basse temperature ainsi que par spectroscopies electroniques (a. E. S. Et e. P. E. S. ), de ces differentes couches deposees a permis de mettre en evidence une variation locale de la composition en arsenic de l'alliage depose suivant la direction des flux de croissance. Cette variation a pu etre attribuee a un appauvrissement de la phase vapeur en arsenic, resultant de la condensation. Des structures a puits quantiques ont pu neanmoins etre caracterisees, en composition et en epaisseur, par spectroscopie de photoluminescence. Des structures adaptees ont en effet ete realisees de maniere a s'affranchir du phenomene d'appauvrissement en arsenic. Enfin ce memoire propose un modele cinetique decrivant la croissance du ternaire inas xp 1 x en compression sur inp. Ce modele tient compte des phenomenes d'appauvrissement et de diffusion a l'interieur de la phase vapeur, propres a nos conditions experimentales.