Abstract FR:

Ce travail décrit tout d'abord un dispositif expérimental et la réalisation technologique de structures en films minces élaborées en basse température (<600C), transistors à effet de champ en films minces, transistors TFT-Hall et motifs de Hall, destinées à étudier la concentration éléctronique et la mobilité dans des couches de silicium polycristallin faiblement dopé n in-situ (non intentionnellement dopé, et de dopages 3. 10#1#6 et 2. 10#1#7 cm#-#3). Nous avons également étudié l'effet de l'hydorgénation sur ces paramètres. La mobilité d'effet de champ augmente avec le dopage initial de la couche dans le cas des transistors non hydorgénés (valeur maximale 60 cm#2 /V. S) et atteint une valeur de 110 cm#2 /V. S. Pour un dopage de 3. 10#1#6 cm#-#3 dans les cas des transistors hydorgénés. L'hydorgénation divise par 2 la concentration de pièges à l'interface Si-poly / oxyde de grille et par un facteur 1. 4 la concentration de pièges aux joints de grains. La structure Si-Poly non ou faiblement dopé / Si-Poly fortement dopé / Aluminium garantit l'ohmicité et la reproductubilité des contacts. Le coefficient de Hall calculé à partir de la comparaison des mobilités de Hall et d'effet de champ est de 0,65, si bien qu'en prenant ce coefficient égal à 1, la mobilité des porteurs est sous-estimée de 35% et la concentration de porteurs libres surestimée de 50%. La mesure de la tension de Hall en fonction de la tension de grille (dans les TFT-Hall) permet de déterminer la tension des bandes plates et la concentration de porteurs libres dans la couche hors influence des états piégés de l'interface active.