Abstract FR:

Des films minces d'oxyde d'indium dope a l'etain, deposes par pyrolyse solide, ont ete etudies par spectroscopie d'absorption x (seuils k de in, sn, et o), xps, diffraction des rayons x, spectroscopie mossbauer de l'etain mesures, d'effet hall et d'autres techniques. Cet ensemble de mesures nous a permis d'etablir les relations entre la structure et les proprietes electroniques de ces films minces. Nous avons montre que les changements d'ordre local autour de l'etain et dans la structure de l'oxyde quand la concentration de dopant augmente, sont fortement correles a l'evolution des proprietes de transport du materiau