Abstract FR:

Nous avons depose du nitrure de silicium sur inp par photolyse directe a 185 nm d'un melange gazeux d'ammoniac et de silane. Le traitement de surface, les conditions de depot et de recuit ont ete optimises: le film est stchiometrique (si#3n#4h#3), le champ critique est de 4 mv/cm et la resistivite de 6. 10#1#5. Cm. Dans le meilleur des cas, le minimum de la densite d'etats d'interface est de 2. 10#1#1ev##1. Cm##2. De maniere analogue, en utilisant du protoxyde d'azote (n#2o) et du silane (sih#4), nous avons depose de la silice sur inp. Les parametres de depot sont optimises et dans ce cas, la formule brute du materiau est sio#1#,#8#7n#0#,#2#0h#0#,#5#5. Les maxima du champ critique et de la resistivite sont 4,50,3 mv. Cm##1 et 1,40,1 10#1#5. Cm respectivement. Un recuit a 300c pendant 15 minutes permet de reduire la largeur de l'hysteresis des courbes c(v) ainsi que la densite d'etats d'interface qui reste cependant superieure a 4-5 10#1#2ev##1cm##2. La formation de poudres dans le reacteur et l'incorporation d'azote dans le film sont reduites en ajoutant quelques % de neopentane (c(ch#3)#4). Les proprietes electriques n'en sont pas alterees. Dans le cas du depot de silice, les reactions ayant lieu en phase gazeuse ont ete etudiees et un modele cinetique de la phase gazeuse est propose. Nous avons traite la surface d'inp par des solutions de sulfure d'ammonium. Ce traitement desoxyde et passive la surface d'inp. Apres sulfuration, un recuit d'une heure a 350c realise avant depot provoque une reconstruction de la surface sans degrader le rapport p/in. Ce traitement reduit la densite d'etats de l'interface inp(5. 10#1#6cm##3)/silice a une valeur comprise entre 7. 10#1#0ev##1cm##2 et 2. 10#1#1ev##1cm##2. Il confere a l'interface silice/inp de tres bonnes proprietes