Abstract FR:

L'elaboration de couches minces supraconductrices de la phase tl#2ba#2cacu#2o#8 utilise un processus en deux etapes qui comporte le depot d'un film precurseur amorphe de stoechiometrie 2:2:1:2-tl:ba:ca:cu suivi d'une cristallisation de la couche. Celle-ci est effectuee par un recuit dans une enceinte confinee a cause de la grande volatilite des oxydes de thallium controlee par une contre pression d'oxygene. Nous avons montre que la morphologie de la surface des couches cristallisees est fortement dependante de la pression d'oxygene lors du recuit. Un optimum a ete determine avec une pression de 10 bars. Cette meme pression induit une diminution de la temperature critique (tc). Pour remedier a ce probleme, des recuits sous argon sont necessaires pour diminuer le taux d'oxygene dans les couches apres cristallisation et ainsi augmenter la tc. Pour mieux comprendre le role joue par l'oxygene dans la variation de la temperature critique, des mesures par spectroscopie d'absorption de rayons x ont ete effectuees. Les porteurs de charge intervenant dans la supraconductivite, sont dans ce materiau des trous de dopage dans la configuration electronique du cuivre. La presence de ces trous est dependante de l'oxydation de la couche cuo#2. La couche tlo sert de reservoir tampon pour la couche cuo#2. Les resultats obtenus pour l'elaboration de couches de la phase tl#2ba#2cacu#2o#8 ont ete utilises pour l'elaboration de la phase tl#2ba#2ca#2cu#3o#9. Les echantillons prepares ont permis l'etude de la symetrie et de la densite des trous de dopage et la comparaison du comportement de ces deux phases