Abstract FR:

Ce travail porte sur la realisation des diodes schottky et des transistors a effet de champ sur inp avec deux methodes: l'oxyde mince (40 a) a ete realise sur inp en atmosphere normale sous eclairage uv a une temperature de 150c. Sur un echantillon d'inp non dope les diodes schottky obtenues par ce procede ont une hauteur de barriere de 0,8 ev. Dans cette jonction le mecanisme de transport du courant se fait par effet tunnel a travers l'oxyde mince. Cette structure a servi de grille dans la realisation d'un transistor a effet de champ dont la transconductance atteint 140 ms/mm. Ce dispositif ne presente pas de phenomenes de derive du courant de drain; le gainp a ete choisi pour augmenter la hauteur de barriere schottky sur inp. Les resultats experimentaux montrent que pour obtenir un bon dispositif schottky il faut maintenir l'epaisseur de la barriere de gainp en dessous de l'epaisseur critique. Dans ce cas la hauteur de barriere sur ce materiau augmente avec la composition et passe de 0,43 ev sur inp a 0,8 ev avec une barriere de 11 a de gap. Des transistors hemt utilisant une grille de gainp et un puits de gainas atteignent une transconductance de 300 ms/mm pour une grille de 1,3 m