Abstract FR:

Ce travail porte sur l'etude du plasma source d'un reacteur type helicon pouvant etre utilise pour la gravure des semiconducteurs. Nous utilisons un melange ar-he-f#2 a des pressions variant entre 4 et 20 mtorr avec des conditions de melange variables. L'interferometrie microonde (68 hgz) a ete utilisee pour mesurer la densite electronique dont les valeurs vont de 0. 4 a 2 10#1#2 cm#-#3 selon les conditions de pression et de puissance rf. En se basant sur la mesure de l'intensite des raies spectrales de l'helium, nous avons etabli un modele collisionnel radiatif de la decharge. Il nous a permis de caracteriser la fonction de distribution en energie des electrons (fdee). Un modele a deux temperatures a ete choisi pour decrire cette fdee. La variation de ces temperatures en fonction des conditions de decharge est presentee. La temperature du gaz, trouvee de l'ordre de 850k, a ete mesuree par absorption laser qui a permis egalement de mesurer la densite des niveaux 4s d'argon et de valider la technique d'auto-absorption. La cinetique des raies de fluor a ete etudiee et a permis d'obtenir pour la premiere fois les coefficients d'excitation electroniques du fluor. Ces donnees ainsi que la mise en evidence des voies de population des etats excites d'argon et d'helium montrent les limites d'applicabilite de l'actinometrie. Une approche theorique est presentee pour montrer l'importance des differents processus responsables de l'entretien de la decharge et du depot d'energie