Abstract FR:

La distribution de deformation a l'interface entre une couche epitaxique d'un compose tertiaire (arseniure de al et ga par exemple) et un support semiconducteur iii-v a pu etre mise en evidence et mesuree a l'aide, essentiellement, de la diffraction d'une onde rx plane ou pseudo-plane. Etude de la sensibilite de la methode a un etalement de l'interface en fonction de l'epaisseur de la couche et de son desaccord avec le support. Simulation sur ordinateur du profil de reflexion des jonctions abruptes et etalees. Application a divers echantillons et au cas des structures multicouches et des superreseaux