Abstract FR:

Le travail presente dans cette these, concerne l'etude d'heterostructures formees sur gaas(001) d'une part et si(111) d'autre part, par le depot des composes lamellaires gase et inse par une technique de jets moleculaires. Il comprend essentiellement deux parties. Avec le substrat gaas(001), les heterostructures inse sur gaas, gase sur gaas et a-se sur gaas ont ete caracterisees pour leurs proprietes structurales (existence d'une epitaxie, caractere abrupt de l'interface). Ces caracterisations ont ete faites en cours de croissance par diffraction d'electrons rapides en incidence rasante et, apres la croissance ou en interrompant la croissance, par spectroscopie de photoelectrons x. Cette etude a montre les difficultes qu'il y a a realiser une interface abrupte avec une bonne relation d'epitaxie entre un substrat a symetrie d'ordre 2 et un depot a symetrie d'ordre 3. Sur le substrat si(111), les heterostructures formees avec gase ont ete caracterisees apres leur elaboration pour leurs proprietes structurales et electroniques. L'approche de l'interface par erosion thermique progressive sous ultravide de la couche lamellaire deposee a ete suivie par diffraction d'electrons lents, spectroscopie des electrons auger et par spectroscopie de rendement de photoemission. Cette etude nous a permis d'examiner l'influence de la structure initiale du substrat (1 par 1-h, racine de 3 par racine de 3-ga, 7 par 7) sur les proprietes de l'interface et de determiner les discontinuites de bandes d'etats electroniques aux heterojonctions