Abstract FR:

La presente etude s'efforce de contribuer a l'elaboration de modeles d'estimations des phenomenes physiques entrant dans la conversion photovoltaique. La premiere partie de ce travail est consacree a l'influence du phenomene de recyclage photons sur les parametres de transport dans le gaas. Les effets d'un film reflechissant applique sur la face arriere de composants fins et epais sont traites. De cette maniere, nous montrons que le rendement theorique s'accroit de 2% pour des doubles heterostructures a base de gaas. La seconde partie de cette etude est basee sur l'evaluation des potentiels de conversion des cellules p-i-n gaalas et gaas dotes respectivement de puits quantiques de gaas et gainas dans leurs zones intrinseques. Pour ce faire, un travail de modelisation des effets d'un champ electrique sur des proprietes optoelectroniques d'une chaine de puits quantiques a ete mene a bien. Nous montrons que la presence d'un front d'absorption abrupte du aux transitions excitoniques minimise les pertes par transparence et ouvre la voie a une nouvelle classe de dispositifs photovoltaiques