Abstract FR:

Ce memoire decrit les differentes techniques de preparation des couches minces d'oxynitrure de phosphore (pon) et la caracterisation des couches minces et des structures mis-(n)inp elaborees. Nous avons mis au point trois techniques de depot du pon sur substrats inp permettant de preparer des couches minces stables homogenes et insensibles a l'humidite. La caracterisation par spectroscopie xps a montre que ses couches sont du type po#xnyh#z. Les methodes de caracterisation des structures mis ont ete developpees. Les structures mis au-po#xnyh#z-inp elaborees ont ete caracterisees par des mesures i(v), c(v) et par ftdlts (fourier transform deep level transient spectroscopy). Les mecanismes de conduction du type poole-frenkel et du type emissions thermoelectroniques ont ete detectes, respectivement, dans les cas des couches minces preparees par les techniques de depot sous vide et sous pression partielle d'azote et dans le cas de depot par transport en phase gazeuse sous pression atmospherique. En ce qui concerne les pieges profonds, nous avons mis en evidence 12 defauts. 10 de ces defauts sont des defauts de volumes repartis en 5 groupes et 2 sont des defauts d'interfaces. Ces defauts sont crees par les processus de realisation des structures mis utilisees. Ce sont des defauts complexes faisant intervenir probablement des lacunes de phosphore, des impuretes et des defauts du reseau cristallin propres au substrat inp