Abstract FR:

Nous avons etudie la cinetique des radicaux cf et cf#2 dans un plasma pulse de cf#4 utilise pour la gravure de couches minces de si ou sio#2 dans l'industrie micro-electronique. Les profils de concentration spatiaux resolus dans le temps de ces especes ont ete determines par la technique de fluorescence induite par laser. Ils permettent d'etudier les mecanismes de perte et de production de ces radicaux en phase gazeuse et sur les surfaces du reacteur. Un nouveau mecanisme de production en surface de cf et de cf#2 a ainsi ete mis en evidence, en particulier sur un substrat de silicium. Nous avons alors developpe des techniques pour comparer les flux absolus des neutres cf#x produit au flux d'ions incident. La concentration de cf#2 a ete determinee par la technique d'absorption uv, alors que pour celle de cf, nous avons developpe une nouvelle theorie permettant de rendre la f. I. L. Quantitative en prenant en compte les effets de saturation partielle de l'absorption. Enfin, pour mesurer le flux ionique en milieu polymerisant, nous avons mis au point un nouveau type de sonde electrostatique capable de fonctionner dans les chimies fluorocarbonees qui deposent rapidement un film isolant sur la surface de la sonde. Les resultats quantitatifs obtenus nous ont permis de montrer que le mecanisme de production de cf est la neutralisation et fragmentation des ions incidents. Dans le cas de cf#2, un deuxieme mecanisme lie a la decomposition d'un couche de polymere domine lorsque la concentration de fluor est faible. Cette couche (responsable de la selectivite de la gravure) est formee a partir de neutres lourds c#xf#y eux meme formes par un mecanisme de polymerisation en phase gazeuse (par des reactions c#xf#y+cf#2).