Abstract FR:

Etude des differents aspects du recuit thermique rapide applique a la guerison des defauts et a l'activation des dopants dans le silicium implante. Demonstration du fait que les temps brefs mis en jeu dans ce type de recuit permettent de reveler des effets transitoires, limites a quelques minutes dans le cas de l'epitaxie en phase solide et a quelques secondes dans le cas de la diffusion des dopants