Abstract FR:

Les etats electroniques des premieres etapes de la formation des interfaces dy/si(111), ho/si(111), sm/si(111), yb/si(111) et yb/inp(110) et de l'epitaxie des siliciures de dy et ho ont ete etudies par deux types de spectroscopies utilisant le rayonnement synchrotron comme source: la photoemission et l'absorption de rayons x. L'analyse des spectres des photoelectrons des niveaux de cur de la terre rare et du substrat nous permet de conclure sur l'evolution, a partir du stade de la chimisorption, des environnements de siliciures inhomogenes dans une region etroite de l'interface (inferieure a 10a) ainsi que sur la croissance epitaxiale et homogene de siliciures de type alb2 apres recuit. Les experiences d'absorption x avec du rayonnement synchrotron polarise lineairement (seuils m4,5 dy, ho et sm) montrent un dichroisme du a la composante axiale du champ cristallin dans les sites de terres rares de la couche epitaxiee quasi bidimensionnelle. L'ensemble des experiences de photoemission et d'absorption x permet d'etablir le comportement de valence intermediaire dans les interfaces yb/si(111) et yb/inp(110)