Abstract FR:

L'étude de la diffraction électronique en incidence rasante (RHEED), qui résulte de la superposition de phénomènes de diffraction variés, a permis de définir les conditions d'obtention d'un signal d'intensité dont la variation en cours de croissance est reliée directement aux mécanismes de la croissance. Les oscillations d'intensité alors obtenues ont été utilisées dans plusieurs cas concernant la croissance de GaAs et de structures à interfaces multiples (Al, Ga)As/GaAs. Elles ont permis d'étudier la différence de cinétique d'incorporation des molécules As2 et As4, et les modes de croissance de GaAs en fonction de la stchiométrie à l'interface de croissance et de la densité initiale de marchés. Couplé à la spectroscopie de photoluminescence, le RHEED a également permis d'évaluer la rugosité aux interfaces de structures à puits quantiques et super-réseaux épitaxiées sur des surfaces vicinales de GaAs (001) et de la comparer à celle obtenue sur les substrats nominaux