Abstract FR:

Cette thèse présente une étude des propriétés optiques non linéaires de petites particules de semiconducteur CdSSe en matrice de verre. Une brève approche théorique montre comment rendre compte de leurs propriétés linéaires et non linéaires. Les plus grosses particules (rayons de l'ordre de dix nanomètres) sont décrites à l'aide de modèles caractéristiques du semiconducteur massif. Dans les plus petites particules le confinement du mouvement des porteurs dans les trois dimensions doit être explicitement pris en compte. Il fait apparaître dans le spectre d'absorption du verre des structures caractéristiques des transitions électroniques entre niveaux de la boite quantique que constitue la petite particule. Sont ensuite présentées les techniques expérimentales, conjugaison de phase et absorption non linéaire, utilisées dans cette étude. Pour les particules peu confinées, le mécanisme principal de la non linéarité (remplissage de bande) est mis en évidence, la dynamique des porteurs photoexcités étant similaire à celle du semiconducteur massif. L'interface verre-semiconducteur intervient par l'intermédiaire de sites pouvant piéger les porteurs ; elle autorise ainsi l'apparition d'un phénomène photochimique nouveau rendant la non linéarité plus rapide. Une particule confinée, au voisinage de sa première transition électronique permise se comporte comme un système à deux niveaux ; la nature particulière que prend le couplage électron-phonon dans une petite particule de semiconducteur est mise en évidence ainsi que le comportement résonant de la non linéarité au voisinage de cette transition.