Abstract FR:

Etude de la cinetique et des mecanismes d'oxydation thermique de films dopes a 210**(20) cm**(-3) b "in situ" et par implantation post-depot. Les resultats prennent en compte les influences du mode de dopage et de la microstructure initiale des films (qui varie d'un etat quasi-amorphe a un etat nettement polycristallin). Leur analyse s'appuie sur a) un logiciel de modelisation de l'oxydation de si et la comparaison avec la cinetique d'oxydation de temoins monocristallins qui permettent de les exprimer en termes de constante de diffusion d et de la vitesse de reaction de surface k::(s) de l'oxydation, b) la comparaison entre depots non dopes, dopes a b par implantation ou "in situ" et c) le suivi des proprietes structurales (rugosite, diagrammes rheed, observations tem) et electroniques des films