Abstract FR:

Ce memoire presente une etude experimentale et theorique de la dynamique intrabande et interbande de valence des trous dans les semiconducteurs iii-v et ii-vi. Disposant d'une source laser delivrant des impulsions d'une duree de 60 fs, nous avons realise des experiences de luminescence resolue en temps par up-conversion. Les experiences faites sur des cristaux dopes et non dopes d'asga nous ont permis, en accord avec un modele theorique reposant sur l'equation de transport de boltzmann, d'associer en temps de 300 fs a la thermalisation intrabande des trous lourds sous l'effet de leur interaction avec les electrons froids et les phonons lo. Nous avons ensuite utilise les proprietes de polarisation de la luminescence dans cdse, pour y etudier la relaxation interbande des trous legers. Un temps de 51 ps a ete deduit experimentalement. Nous avons egalement exploite ces proprietes pour expliquer l'anisotropie de polarisation transitoire de la luminescence que nous avons observee dans un verre dope avec des microcristaux de cdse. Le temps caracteristique de cette anisotropie (150 fs) y a ete associe a la relaxation interbande des trous legers. Nous avons, enfin, dans le but d'etudes futures plus detaillees, realise une configuration simple d'amplification de notre laser femtoseconde