Abstract FR:

L'etude d'un laser a semiconducteur de type a pompage electronique est presentee. Le but de ce travail est la realisation d'un laser compact emettant dans le visible (bleu). Deux aspects distincts ont ete consideres. 1 le pompage electronique du laser ainsi que la realisation d'un dispositif compact. Le faisceau d'electrons permettant le pompage du laser est obtenu a partir d'une cathode comportant des micropointes. Ce composant est une source d'electrons froide, utilisant le principe de l'emission par effet de champ, realise grace aux procedes de la microelectronique conventionnelles et deja utilise dans la fabrication d'ecrans plats. Les travaux presentes relatent l'etude des caracteristiques de ces sources et de leur interet dans le cadre de ce projet. La focalisation du faisceau d'electrons est decrites dans plusieurs cas de figure, et la realisation d'un dispositif compact scelle sous vide statique fonctionnant en mode cathodoluminescent est rapportee. 2 laser semiconducteur ii-vi a grand gap permettant l'emission lumineuse dans le visible. Les heterostructures laser doivent etre specialement adaptees au pompage electronique a cause de la relativement faible profondeur de penetration des electrons pour les energies considerees. La description du fonctionnement des lasers semiconducteurs est donnees dans un premier temps. Il apparait que pour notre application, les structures laser doivent etre de type grinsch (heterostructure a gradient de composition et a separation des confinements) a puits quantiques. Dans un deuxieme temps, les resultats de caracterisation des materiaux laser, par les techniques de cathodoluminescence, de microscopie, de spectroscopie de masse des ions secondaires (sims) et de pompage electronique sont donnes. L'evolution des seuils en fonction de la temperature et les problemes de duree de vie en fonctionnement des lasers semiconducteurs sont plus particulierement traites. Ces resultats sont compares a ceux des diodes laser ii-vi actuelles