Abstract FR:

La connaissance des mecanismes de formation a l'echelle atomique des interfaces est devenue essentielle afin d'apprehender correctement la fabrication de composants dont les dimensions deviennent de plus en plus reduites. Nous nous sommes donc interesses a la preparation et a la stabilisation de la face (100) du phosphure d'indium, semiconducteur iii-v. La premiere partie de ce memoire sera consacree au developpement de la spectroscopie du pic elastique (epes), methode d'analyse originale et performante. Une nouvelle methode d'obtention du coefficient de reflexion elastique basee sur la polarisation de l'echantillon est presentee, de meme que l'application de l'epes a l'etude de la concentration de l'hydrogene dans le silicium poreux. La seconde partie du memoire a trait a la preparation des surfaces inp(100). Le bombardement ionique a base d'ions argon de faible energie induit un depart preferentiel du phosphore de la surface puis la creation de cristallites submicroscopiques d'indium metallique. La surface du semiconducteur sera alors restructuree par depot controle d'antimoine, elementv, et formation de couches superficielles insb. La spectroscopie aes a permis, grace a la conception de modeles, de connaitre avec precision la taille des cristallites. Des etudes en spectroscopie de photoemission ont pu preciser la reconstruction de la surface. L'evolution des diverses composantes des spectres ont montre la formation d'une surface composee d'agregats 2d d'indium et d'antimoine, la couche insb tampon apportant de plus une passivation thermique a l'echantillon. L'etude de la condensation d'atomes d'or sur cette surface a permis de demontrer les differences structurales et electriques qu'apportait la passivation par depot d'antimoine. La condensation d'atomes d'or a conduit a la formation d'un contact redresseur, une reduction de la migration des elements du semiconducteur etant observee. L'historique de la formation des contacts a pu etre reliee aux mesures electriques finales