Abstract FR:

Le but du travail présenté est l'étude des propriétés électroniques d'une jonction métallique en microscopie électronique par effet tunnel (STM) et le calcul du courant tunnel à travers cette jonction. La première partie de cette étude s'intéresse a la structure électronique d'agrégats métalliques représentant les surfaces Al(100) et Cu(100), des pointes de tungstène de différentes symétries ainsi que les systèmes pointe-échantillons W-Al(100) et W-Cu(100) en interaction. Cette étude est réalisée dans le cadre d'une approche de la fonctionnelle de la densité (DFT) et utilise le code ADF. Les résultats obtenus dans le cas des surfaces métalliques sont en bon accord avec la littérature et l'analyse relative aux pointes confirme le rôle déterminant de la contribution des états électroniques d dans la densité d'états du tungstène au voisinage du niveau de Fermi. En second lieu, nous présentons un ensemble de simulations d'images topographiques STM et de caractéristiques courant-tension relatives aux systèmes précédents, obtenues à partir d'un modèle de calcul du courant tunnel dérivé de celui de Tsukada, qui utilise les fonctions d'onde et le potentiel électrostatique de la pointe, obtenus de façon auto-cohérente a l'aide du code ADF. Nos résultats mettent en évidence des effets de taille finie liés au modèle d'agrégat, particulièrement marqués dans le cas de l'aluminium, tandis que ceux obtenus pour une molécule de phtalocyanine de cuivre adsorbée sur la surface Cu(100) apparaissent en très bon accord avec les résultats antérieurs.