Abstract FR:

Les superreseaux gaas/alas presentent un alignement de bandes de type ii, lorsque l'etat fondamental de conduction est issu des vallees x situees en bord de zone de brillouin. Les electrons photocrees sont alors confines dans les couches d'alas et les trous dans les couches de gaas. L'objet de ce travail est l'etude des proprietes electro-optiques liees a une telle separation spatiale des electrons et des trous. Un champ electrique perpendiculaire a pour consequence de scinder la transition optique fondamentale d'un superreseau de type ii en deux composantes, l'une se decalant vers les hautes energies (blue-shift) et l'autre vers les basses energies (red-shift). Il est alors remarquable que la transition a plus haute energie devienne la plus forte, grace a un meilleur recouvrement des fonctions d'onde. La plus grande partie des travaux presentes ici a toutefois ete consacree a une structure originale: un puits quantique de type ii constitue d'une seule alternance gaas/alas. De tels puits peuvent accumuler de fortes densites de charges sous des excitations optiques continues relativement modestes. Dans un premier temps ce peuplement a ete etudie en details, notamment grace a ses consequences sur les proprietes optiques: fort blue-shift, elargissement des raies, passage d'une recombinaison indirecte a pseudo-directe ou indirecte a directe. Ces fortes densites de charges sont utilisees par la suite pour creer des champs electriques internes, et en particulier obtenir un effet photovoltaique a bascule, dont le signe est controle par la longueur d'onde d'excitation. La consequence la plus spectaculaire des champs photocrees est un effet de bistabilite electro-optique dans les structures a puits de type ii, dont une caracteristiques remarquable est qu'elle s'obtient sans aucune polarisation electrique exterieure