Abstract FR:

Ce travail est consacre au silicium depose et dope in-situ par lpcvd (low pressure chemical vapour deposition) a basse temperature ( 600c) dans un reacteur tubulaire horizontal a paroi chaude. Les systemes gazeux employes sont respectivement silane-helium-phosphine pour le dopage au phosphore et silane-helium-diborane pour le dopage au bore. La premiere partie traite du dopage au phosphore. Les conditions experimentales conduisant a une incorporation uniforme du phosphore sur la gamme 3x10#1#6 - 3x10#2#0 atomes/cm#3 sont etudiees. La seconde partie traite du dopage au bore. Des problemes d'uniformite de l'incorporation en bore le long du reacteur attribues a la chimie du couple silane-diborane sont rencontres. L'emploi d'une canne d'injection permet de retablir l'uniformite du depot. Les proprietes electriques des couches de silicium polycristallin dope sont etudiees en fonction de la concentration en atomes dopants et de la pression de depot, montrant qu'une pression de depot elevee conduit a de meilleures caracteristiques electriques. Les resultats acquis ont permi de realiser des structures de type pin sur substrats d'ito (indium tin oxyde) destinees a la fabrication d'une matrice de contacts redresseurs