Abstract FR:

Analyse de couches minces de si dopees b au cours du depot (dopage in-situ), par lpcvd, dans un large domaine de temperature (515 a 70**(o)c) et de pression de gaz sih::(4) (2,5 x 10**(-3) torr). Comparaison avec un depot sans dopage: l'effet du gaz dopant (b::(2)h::(6)) est mis en evidence. L'etude montre principalement l'effet de la pression sur le depot, l'incorporation du dopant, la microstructure des couches et leurs proprietes electriques (en particulier sur la resistivite apres depot sans aucun traitement thermique)