Abstract FR:

Le diamant presente des proprietes physiques intrinseques extremement attractives qui sont notamment appropriees pour des applications electroniques. Cependant, il convient de rester prudent car les caracteristiques globales des films (purete de la phase diamant, tailles des cristallites, epaisseur, morphologie, texture, contraintes internes etc. . . ) dependent fortement des conditions de croissance et conditionnent les proprietes des films. L'analyse quantitative de la texture (logiciel d'analyse de texture beartex) de films de diamant polycristallins deposes sur substrat de silicium par mpcvd a permis d'estimer l'influence des parametres d'elaboration (temperature du substrat, 650-880c, taux de methane, 0. 3%-2%), de l'epaisseur des films (jusqu'a 70 m) et du taux d'incorporation de bore (jusqu'a 5x10#2#0 b-cm#-#3) sur le developpement d'une orientation preferentielle au cours de la croissance. L'analyse du profil des raies de diffraction a permis d'etudier l'influence du dopage au bore sur la microstructure des films polycristallins. Les resultats issus des methodes des largeurs integrales, de fourier et de la variance indiquent une evolution (amelioration jusqu'a 10#1#9 b-cm#-#3 puis deterioration) de la qualite cistalline des films avec le dopage. Une etude structurale conjointement menee sur des films polycristallins et monocristallins deposes respectivement sur substrat de silicium et de diamant monocristallins montre que le parametre cristallin du diamant augmente avec le dopage au bore. La dilatation atteint 0. 2% pour un dopage de 8x10#2#0 b-cm#-#3 et devient significative au dela de la transition semiconducteur-metal.