Abstract FR:

Ce travail porte sur l'elaboration d'heteroepitaxies si#1##xge#x/si(100) par pulverisation ionique. Les proprietes de ces films ont ete etudiees en fonction de differents parametres, a savoir: la temperature de depot, la composition (x de 0% a 60%) et les conditions de recuit. La contrainte, generalement compressive, est tres superieure a celle observee dans des films similaires, elabores par mbe ou cvd: ce decalage, de l'ordre de 1 gpa a 550c, est independant de l'epaisseur et de la composition. L'evolution des contraintes lors de recuits sous atmosphere neutre revele un processus active thermiquement (x de 0% a 8%). On aboutit a une energie d'activation de 0. 350. 10 ev largement inferieure a celle obtenue pour des films realises par mbe ou cvd, associee a la methode de depot. On suppose que les proprietes des films realises par pulverisation ionique resultent du bombardement du film en croissance par des particules energetiques. Il est probable que les particules emises et/ou reemises par la cible aient une energie suffisante pour deplacer les atomes, conduisant a une contrainte compressive sans pour autant produire de defauts etendus