Abstract FR:

L'oxydation thermique d'une surface de silicium polie mecaniquement produit des fautes d'empilement a l'interface dont les dislocations partielles sont decorees par du siliciure de cuivre dans un silicium fusion de zone et par de l'oxygene dans un silicium czochralski. L'oxydation d'une surface polie mecanochimiquement (suppression de la zone ecrouie) genere des reseaux de dislocations qui peuvent servir de sites de nucleation a des colonies de cuivre. On n'observe jamais de co-precipitation d'oxygene et de metaux. La microstructure de ces defauts determine les proprietes electroniques de l'interface silicium-silice. A partir des resultats de caracterisation structurale et physico-chimique de l'interaction defaut-impurete d'une part, et des resultats electriques (longueur de diffusion et vitesse de recombinaison superficielle des porteurs de charge minoritaires) d'autre part, on analyse le role des fautes d'empilement, des dislocations, de la segregation d'oxygene ou de siliciure de cuivre sur les proprietes electroniques de l'interface silicium/silice. On evalue ainsi l'efficacite de l'oxydation thermique en tant que procede d'amelioration des proprietes electroniques des couches superficielles du silicium