Abstract FR:

Dans le cadre de l'etude des proprietes optiques d'heterostructures semiconductrices gaas/alas, nous abordons deux themes : -l'etude du couplage - x dependant de l'epaisseur d'alas dans un double puits quantique gaas/alas de type ii. -l'etude du rendement quantique dans un superreseau (sr) gaas/alas de type i. Dans les heterostructures de type ii, la transition optique sans phonon entre un etat de trou lourd dans gaas et un etat d'electron x dans alas est permise grace au couplage entre les etats et x aux interfaces. La transition optique zero-phonon est permise si le nombre de monocouches d'alas n est pair, interdite s'il est impair. L'origine de cet effet de parite est la symetrie de la fonction de bloch x par rapport au centre de la couche d'alas. Nous montrons la sensibilite du couplage - x avec l'epaisseur d'alas a l'aide d'une structure double puits gaas/alas a gradient d'epaisseur. Des puits de calibration permettent de determiner l'epaisseur des couches a partir d'experiences de photoluminescence et de microscopie electronique en transmission. A partir du declin temporel non exponentiel de la luminescence de la structure double puits, nous determinons les temps de recombinaison due au couplage - x x et assistee par phonon p h en fonction de l'epaisseur d'alas. Le temps x augmente d'un facteur 2 dans une region ou n est impair alors que le temps p h varie de facon monotone. Ce resultat est une forte indication de la sensibilite du couplage - x avec n. Un modele traitant le couplage - x dans le cas d'interfaces graduelles permet de reproduire tres correctement les resultats experimentaux. Pour mesurer le rendement quantique interne de photoluminescence (rq), nous proposons une nouvelle methode appliquee a un sr gaas/alas epitaxie sur une couche de gaas. Le rq est determine a partir du spectre d'excitation de la photoluminescence du gaas. Nous discutons les conditions d'application de cette methode et les effets de recyclage de photons.