Abstract FR:

L'etude porte sur les mesures en fonction de la temperature de la mobilite de hall et du coefficient de magnetoresistance sur des semi-conducteurs 3-5. Les mesures sont faites sur des echantillons d'arseniure de gallium avant et apres depot de nitrure de silicium. L'experience s'articule autour de deux axes: le coefficient de hall et la resistivite. La partie theorique donne un bref apercu des differents processus de diffusion des porteurs de charge dans les semi-conducteurs polaires. Les resultats permettent de voir que les echantillons sont tres compenses. Le comportement du coefficient de hall presente d'une part une anomalie a basse temperature que le modele de hung a deux bandes permet d'expliquer. Les resultats de magnetoresistance quant a eux, donnent l'exposant de l'energie des porteurs de charge en fonction de deux processus de diffusion. Enfin, l'analyse des grandeurs mesurees avant et apres depot de nitrure de silicium renseigne sur la diffusion de l'isolant a travers l'arseniure de gallium