Abstract FR:

Contribution a l'etude du comportement plastique et des mecanismes de dopage par implantation des composes semiconducteurs du titre. On met en evidence l'effet des dislocations sur la durete. On montre que la mobilite des dislocations est regie par un mecanisme de peirerls. Mise en evidence d'un effet photoplastique. Les resultats experimentaux, obtenus avec differentes techniques sur des echantillons implantes "basses" energies, permettent d'attribuer le changement de dopage aux defauts intrinseques crees durant l'implantation