Abstract FR:

Ce travail porte sur l'étude de la structure des alliages Se-Ge et Se-As et sur l'étude de la relaxation structurale du composé Se-Ge riche en sélénium. Pour décrire la structure dans ces composés binaires amorphes, un modèle a été développé en introduisant la notion de fréquence de connectivité et de dimensionnalité. La connaissance de ces paramètres et l'application de la théorie des contraintes nous permettent de vérifier que le maximum de stabilité de la structure se produit pour les composés définis. L'étude des variations de la transition vitreuse (température, enthalpie) en fonction de l'histoire thermique, a permis de décrire l'état relaxationnel du matériau. La quantification expérimentale du phénomène de relaxation montre que le processus de relaxation du aux effets structuraux disparaît à 12% at de Ge, et que 16% est une composition pour laquelle la relaxation est totalement bloquée