Abstract FR:

Un bancs de mesures automatise est realise afin de mesurer quantitativement la densite de puissance rayonnee en cathodo- et photoluminescence par une meme zone d'echantillon semiconducteur. Un spectrophotometre compteur de photons permet d'analyser des flux de quelques dizaines de photons par seconde dans le visible et l'infra-rouge proche; il est etalonne en sensibilite spectrale absolue. Les echantillons sont excites par des electrons d'energie reglable de 8 a 24 kiloelectronvolt pour l'etude de la cathodoluminescence, et, pour l'etude de la photoluminescence, par des photons (488 nanometre) fournis par un laser a argon ionise (puisance incidente sur l'echantillon: 8 a 120 milliwatt). Le pic de luminescence correspondant a la recombinaison bande a bande est observe sur des echantillons massifs de gaas et cdte, aux temperatures 300 kelvin et 210 kelvin. Une transition d'energie inferieure au gap, attribuee a des defauts de cdte monocristallin, est identifiee. La puissance lumineuse emise est proportionnelle a la puissance incidente, dans les limites explorees. Un seuil en puissance, correspondant a l'existence d'une zone morte, est observe en cathodoluminescence. Ces resualtats sont compares aux modeles theoriques existants. Le rendement experimental, le rendement reel et le rendement radiatif sonht determines pour les deux types d'excitation et les deux materiaux