Abstract FR:

Nous avons pour la premiere fois realise des puits quantiques inp/inas/inp par epitaxie en phase vapeur par la methode aux hydrures. Dans un premier temps, connaissant les cinetiques d'homoepitaxie de l'inp, nous avons optimise les processus de depot, en faisant intervenir les phenomenes de diffusion des especes gazeuses en presence dans l'enceinte de reaction. Un modele de simulation numerique 2d permet d'evaluer precisement les valeurs des pressions partielles des especes gazeuses interagissant pendant la croissance cristalline. Cette etude nous a permis de controler des depots d'inp d'epaisseur 400 a, afin de realiser les barrieres de la structure finale. Nous avons ensuite profondement modifie l'appareillage, par l'adjonction de vannes pneumatiques et de nouvelles lignes d'amenee des gaz. Ces ameliorations ont permis de pulser tout a tour les hydrures ash#3 et ph#3, tout en conservant un flux d'especes chlorees incl, stabilisant la surface du substrat. Les temps de commutation, de l'ordre de la seconde, ont permis la realisation d'interfaces abruptes sur des puits quantiques inp/inas/inp, d'epaisseur controlee de 21 monocouches atomiques, jusqu'a l'epaisseur critique de ce systeme, evaluee a 5 monocouches atomiques. Ces puits quantiques ont ete caracterises par photoluminescence et microscopie electronique