Abstract FR:

Le sujet de cette these est l'etude des proprietes structurales et electroniques des surfaces et des interfaces d'heterojonctions formees par un depot de compose lamellaire (inse ou gase) sur un substrat si(111) par la technique d'epitaxie par jets moleculaires. L'interface est atteinte par une erosion thermique progressive sous ultravide du film lamellaire jusqu'a son elimination complete. Pour le systeme gase/si(111) la technique employee est la spectroscopie de reflectivite differentielle. Pour le systeme inse/si(111) les techniques utilisees sont : la spectroscopie de rendement de photoemission, la spectroscopie de photoemission resolue angulairement dans l'ultraviolet, la diffraction des electrons lents et la spectroscopie des electrons auger. Dans la premiere partie qui concerne le systeme gase/si(111), nous avons montre : (i) que les couches minces de gase deposees sur si(111)1x1-h sont plus uniformes et homogenes que celles deposees sur si(111) 3-ga, (ii) qu'il n'y a pas de transition electronique qui puisse etre attribuee a l'existence d'etats d'interface dans la partie commune des gaps. Dans la deuxieme partie, consacree au systeme inse/si(111), nous avons montre tout d'abord que l'effet efficace de la passivation des couches ultraminces du lamellaire inse sur si(111) a neanmoins ses limites. Ensuite, nous montrons que les couches de l'ordre de 10 nm de inse epitaxiees presentent une structure electronique semblable a celle du materiau massif et que la desorption des couches de inse s'accompagne d'une rugosification notable de la surface. Ainsi, nous avons propose un modele structural qui permet de mieux comprendre le processus de croissance. Puis en nous basant sur les previsions theoriques de kane, nous avons trouve une solution aux problemes de discontinuite des bandes en tenant compte de l'existence d'un dipole d'interface a charge negative exterieure au silicium, et un schema de discontinuite de bandes a ete propose.