Abstract FR:

Presentation de la conception et de la realisation d'un nouveau type de reacteur pour l'epitaxie en phase vapeur a partir des organometalliques a pression atmospherique. Utilisation pour l'etude des heterointerfaces inp/ingaasp avec pour application les doubles heterostructures laser emettant a 1,3mu m, et pour l'etude de l'interface inp/dielectrique avec pour application les transistors m. I. S. Inp. Uniformite d'epaisseur et uniformite de composition pour le quaternaire